走進科晶
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湖南大學(xué)（來源：湖南新聞聯(lián)播）
發(fā)布時間：2020-01-13
2019年1月6日湖南衛(wèi)視新聞聯(lián)播播出湖南大學(xué)王雙印教授領(lǐng)銜的催化劑缺陷化學(xué)研究項目目前處于全球領(lǐng)先水平，目前該項技術(shù)已經(jīng)進入工廠測試驗證階段。在新聞中播放的王雙印教授的實驗室中出現(xiàn)了合肥科晶的設(shè)備身影：
點擊查看完整視頻（第10：07分出現(xiàn)）
視頻中出現(xiàn)了合肥科晶的加熱爐以及PECVD系統(tǒng)。目前公司共擁有十幾種不同型號的PECVD系統(tǒng)，客戶可根據(jù)需求進行選擇。同時公司亦接受非標(biāo)產(chǎn)品方案的定制，公司的模塊化思想可方便客戶的搭建需求，更容易實現(xiàn)客戶的定制方案。
視頻中的科晶設(shè)備：
(1)PECVD系統(tǒng)
型號：OTF-1200X-50S-PE-SL
部分參數(shù)：連續(xù)工作最高溫度：1000℃；尺寸：1500mm L*600mm W*1200mm H
(點擊圖片或鏈接了解更多詳情)（http://m.gaoannet.cn/product/16689.html）
(2)箱式加熱爐
型號：KSL-1200X
部分參數(shù)：爐腔容積：7.2L；最高加熱溫度：1200℃；加熱爐尺寸：440mm L*530mm W*530mm H
(點擊圖片或鏈接了解更多詳情)（http://m.gaoannet.cn/product/16847.html）
更多PECVD系統(tǒng)：
(點擊圖片或鏈接了解更多詳情)（http://m.gaoannet.cn/product/15840/list.html）
等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)：
等離子體增強化學(xué)氣相沉積（Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition，簡稱PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。由于PECVD技術(shù)是通過反應(yīng)氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。
一般說來,采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：
首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團的混合物；
其二，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運，同時發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級反應(yīng)；
最后，到達生長表面的各種初級反應(yīng)和次級反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng)，同時伴隨有氣相分子物的再放出。
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