| 設(shè)備名稱 | 1100度小型真空/氣氛快速升降溫RTP爐--OTF-1200X-4-RTP （2023.5.10--科晶實驗室審核） |
| 爐膛結(jié)構(gòu)及特點 | ·雙層鋼制外殼，風(fēng)冷，使?fàn)t表面溫度低于60℃。 ·高純度纖維狀氧化鋁絕緣，最大限度地節(jié)約能源。 ·帶聯(lián)鎖保護(hù)的分體式蓋子，如果蓋子在熔爐加熱過程中打開，則切斷電源。 ·超大管徑內(nèi)徑φ100mm，外徑φ110mm。 ·最高溫度可達(dá)1100℃。 ·法蘭上安裝有滑軌可直接推拉操作。
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| 工作溫度 | ·最大1100oC，持續(xù)時間<10分鐘 ·最大1000oC，持續(xù)＜20分鐘（注意：如果運行時間更長，爐殼將＞100oC，必須使用風(fēng)扇從外部冷卻爐殼） ·最大800oC，持續(xù)時間<120分鐘 ·連續(xù)溫度最高600oC |
| 基本參數(shù) | ·設(shè)備電源：AC380V 50/60HZ 最大功率12KW ·法蘭：KF-25D型不銹鋼高真空法蘭 ·加熱區(qū)長度：190mm ·控溫精度：+/-1℃(歐陸表型溫控儀表可達(dá)0.1℃) ·熱電偶：可插入式的鎧裝熱電偶，進(jìn)口K型熱偶, 緊貼在放樣品的AlN片下 ·最大功率：12KW ·循環(huán)水流量:0.5 m3/h ·標(biāo)配流量計量程范圍：16-160 ml/min ·可選配測量范圍為10-4至1000托的數(shù)字真空計
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| 加熱元件 | ·短波紅外燈管
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| 相關(guān)視頻 |
操作視頻 展示視頻 |
| 溫控系統(tǒng) | 包括858溫度控制器。 比例-積分-微分控制（PID控制）和自動調(diào)諧功能 50個分段，編程有斜坡、冷卻和停留步驟 內(nèi)置超溫報警和熱電偶故障報警 +/-1oC溫度控制精度 默認(rèn)DB9 PC通信端口
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| 石英管和樣品架 | ·石英管尺寸：外徑4.33英寸x內(nèi)徑4.05英寸x長度16.2英寸。 包括一個直徑為3“的AlN樣品支架，用于對直徑不超過3”的樣品進(jìn)行退火。AlN具有非常高的熱導(dǎo)率， 這在樣品區(qū)域中提供了最佳的溫度均勻性。樣品支架可從法蘭上拆卸，以便將RTP爐用于其他用途 ·可選：3英寸外徑厚的石墨基板可作為AIN板的替代品。 ·可選：石墨坩堝：外徑87 mm x內(nèi)徑71 mm x高度12 mm，帶蓋，設(shè)計用于3“樣品架，也可以改裝為RTE、CSS或HPCVD爐，帶有涂有SiC的石墨坩堝。
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| 真空法蘭 | ·KF-D25高真空法蘭由不銹鋼制成，具有雙重高溫。硅膠O型圈、針閥和水冷套。 ·它只需要在溫度>600攝氏度的長時間運行中進(jìn)行水冷。 ·循環(huán)水流量：0.5 m3/h。 ·滑出式法蘭提供了一種更簡單的方式來裝載、卸載樣品和其他所需的特定過程。 ·插入式熱電偶，實現(xiàn)精確測量。 |
| 真空泵（可選） | · 型號：VRD-8 · 抽氣速率：2.2 L/S · 電機功率：370 W · 極限壓強：5×10-1Pa（不帶負(fù)載）
· 為了得到更高的真空度，可以選購我公司的其他高真空系統(tǒng) |
| 水冷（可選） | · 型號：KJ-5000 · 工作電壓：AC 220V 50HZ · 工作電流：1.4-2.1A，制冷量：2361Btu/h · 壓縮機功率：300W，水箱容量：6L · 最大流量：16L/min，凈重：24 Kg
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| 真空壓力和氣體接頭 | ·使用帶有KF25適配器的機械真空泵，壓力可以達(dá)到50以上 ·通過帶有KF25適配器的分子泵，壓力可以達(dá)到10-4ttor |
| 尺寸 | 法蘭閉合：1350mm（長）x 330mm（寬）x 590mm（高） 法蘭開口：1350mm（長）x 520mm（寬）x 740mm（高） ·爐膛尺寸：Φ180X190 |
| 重量 | 70Kg |
| 認(rèn)證 | ·此產(chǎn)品已通過CE認(rèn)證 證書編號： M.2021.206.C67997 ·若客戶出認(rèn)證費用，本公司保證單臺設(shè)備通過德國TUV認(rèn)證或CAS認(rèn)證
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| 保修 | 一年保修，終身技術(shù)支持。 特別提示：1.耗材部分如加熱元件，石英管，樣品坩 堝等不包含在內(nèi)。 2.因使用腐蝕性氣體和 酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。 |
| 可選模塊 | ·您可以將RTP爐與高真空站或氣體輸送系統(tǒng)結(jié)合起來，作為真空爐或CVD系統(tǒng)。 ·為了實現(xiàn)快速冷卻速率（＜10oC/秒），您可以選擇帶滑軌的RTP爐。 ·您可以命令壓力控制模塊（點擊右下方的圖片）使腔室保持恒定壓力
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科晶實驗室對OTF-1200X-4-RTP設(shè)備的追溫溫差和恒溫精度做了一系列實驗研究，得出以下經(jīng)驗以供參考：
1）升溫速率越慢，控溫精度越高，升溫速率越快，追溫溫差越大。
升溫速率 | 追溫溫差 | 控溫精度（恒溫精度） |
1℃/s | < 5℃ | +-0.5℃ |
2℃/s | < 10℃ | +-1℃ |
50℃/s | 溫差較大，但30s內(nèi)恒溫 | +-1℃ |
2）570℃以下降溫不可控。
降溫速率 | 可控溫度情況（參考） |
40℃/min | 570℃以上，可控制降溫 |
60℃/min | 600℃以上，可控制降溫且誤差<5℃，600℃-570℃，誤差<10℃ |
實驗名稱：RTP快速升溫爐的升溫速度與最終溫度間的可調(diào)關(guān)系
實驗?zāi)康模?/strong>1、升溫速度能否保持恒定；
2、恒溫波動是否小于1℃；
3、實現(xiàn)目的：保持一定的升溫速度，待到達(dá)恒溫溫度時，升溫速度減緩的溫度點越接近恒溫溫度越好。
適用領(lǐng)域：鐵磁性材料的制備
實驗結(jié)果：
100℃/min，到400℃ | 斜率基本恒定；沖溫＜1℃；升速減緩點在398℃ |
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100℃/min，到700℃ | 斜率基本恒定；沖溫＜1℃；升速減緩點在698℃ |
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400℃/min，到400℃ | 斜率基本恒定；沖溫≤1℃；升速減緩點在395℃ |
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400℃/min，到700℃ | 斜率基本恒定；沖溫≤1℃；升速減緩點在395℃ |
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300℃/min，到700℃ | 斜率基本恒定；沖溫≤1℃；升速減緩點在795℃ |
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600℃/min，到700℃ | 斜率基本恒定；沖溫≤2℃；升速減緩點在790℃ |
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以上數(shù)據(jù)總結(jié)，存在調(diào)試差異，具體詳情請聯(lián)系合肥科晶實驗室 | ||
應(yīng)用提示 | ·由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥。 ·進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200sccm，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊。 ·石英管的長時間使用溫度為600℃。 ·此爐可以增加鍍SiC的石墨坩堝改造成RTE(快速熱蒸發(fā)）爐（可查看下方的圖片自己制備RTE） ·在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積后，石墨烯可從金屬催化劑轉(zhuǎn)移到另一個基片襯底上，此法可被廣泛應(yīng)用制備二維材料。通過CVD法生長的石墨烯，表面平整度高且無殘渣。 |
警示 | ·當(dāng)爐體溫度高于900℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)。 ·爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa。 |
相關(guān)可選 | ·樣品架可選：3"O.D的石墨襯底替代AlN陶瓷片。(圖1) ·可選：將含坩堝蓋蓋規(guī)格為87 O.D×71 I.D×12 H mm的石墨坩堝設(shè)計三個坩堝架，則可被改造成一個 RTE，CSS或HPCVD爐，另外石墨坩堝表面涂有SiC涂層。(圖2) ·真空系統(tǒng)：用機械泵真空度達(dá) 50 mtorr； 用分子泵真空度可達(dá) 10E-4 torr。(圖3-5) ·可選購合肥科晶的循環(huán)水冷機配套使用。(圖6) ·多種供氣系統(tǒng)可選。(圖7-8) ·可選配其他數(shù)字真空計。(圖9-11) ·建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全。（請點擊這 里學(xué)習(xí)如何安裝減壓閥）。(圖12) ·可選購壓力控制模塊來監(jiān)控并保持工作腔室壓力穩(wěn)定。(圖13)
圖1 圖2 圖3 圖4
圖5 圖6 圖7 圖8
圖9 圖10 圖11 圖12
圖13 |
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