- 加熱爐設備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設備
- 壓片設備
- 輥壓設備
- 切割設備
- 磨拋設備
- 清洗設備
- 電池研發設備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設備
氧化硅晶體基片
- 型號：
- SiO2
- 產品概述：
- 氧化硅(SiO2)單晶水晶片是一種極好的基片用于無線通訊工業的微波濾波器，科晶公司可以為研究和工業生產提供高質量最低價格的水晶片，真誠歡迎您的垂詢！
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數
|
晶體結構: | 六方 a=4.914 ? c=5.405 ? | 生長方法: | 水熱 | 硬度: | 7.0Mohs | 密度: | 2.684g/cm3 | 熔點: | 1610oC( 相轉變點：573.1oC) | 熱容: | 0.18cal/gm | 熱電常數: | 1200mV /oC @ 300oC | 熱導率: | 0.0033 cal/cm/oC | 熱膨脹系數 (x10-6/ oC): | a11: 13.71 a33: 7.48 | 折射率: | 1.544 | Q值: | 1.8 x 106 min. | 聲速聲表: | 3160 (m/sec) | 頻率常數: | 1661 (kHz/mm) | 壓電偶合: | K2 (%) BAW: 0.65 SAW:0.14 | 包裹物: | IEC Grade II | TTV: | <5um |
|
| 產品規格
|
方向： | Y, X 或Z 切：在30o ~ 42.75o ± 5分范圍內旋轉任意值； 主定位邊：根據客戶要求定方向±30分 ； 次定位邊：根據客戶要求定方向 ； 籽晶：位于中心，寬度 | 拋光面： | 外延拋光：單拋或雙拋Ra<5? ； 工作區域：基片直徑-3mm ； 彎曲度：φ3"<20um，φ4"<30um ； 工作區域無崩邊，在邊緣，崩邊寬度<0.5mm ； 坑和劃痕：每片<3，每100片<20 . | 標準厚度： | 0.5mm ± 0.05mm | 標準直徑： | dia2" (50.8mm ) dia3"(76.2mm) dia4"(100mm) ±0.5mm 主定位邊：22±1.5mm (f 3" ) 32±3.0mm ( f 4" ) 次定位邊：10mm±1.5mm |
注：可按照客戶要求加工尺寸和晶向
|
| 標準包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋包裝或者單片盒以及25片插盒裝 |
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
查看誠信檔案
皖公網安備 34012302000974號
