- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
Si+SiO2+TiO2+Pt 基片
- 產(chǎn)品概述：
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
Si摻雜類型： | N型不摻雜 | P型摻B | 電阻率： | >2000ohm.cm | 1-20 ohm.cm | 薄膜厚度： | SiO2=300nm TiO2=20nmPt(111)=150nm |
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| Maximum?Thermal Budget?of?Pt? film:
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<800-850 degreeC/1hr
|
| 常規(guī)尺寸
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dia4"+/- 0.5 mmx0.525 單拋；10x10mm 注：可按照客戶要求加工尺寸 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝或單片盒裝 |
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