- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
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- 其它實驗室設(shè)備
Si+Si3N4薄膜
- 關(guān)鍵字：
- 進(jìn)口料Silicon Nitride Film (LPCVD) on Silicom Wafer N type doped P
- 產(chǎn)品概述：
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
Si參數(shù)： | 晶向： | 摻雜類型：N型摻P； | 電阻率:1-20 ohm-cm； | 拋光：單拋； | Si3N4參數(shù)： | 生長方法：low stress LPCVD method | 薄膜厚度：1.3um?±5%；300?nm??+/-?10% | 鍍膜情況：Si3N4 covers both side of Silicon wafer |
|
| 常規(guī)尺寸
|
dia4" ±0.5mm x 0.525 ±0.025mm |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋真空包裝、單片盒或插盒 |
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