- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
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- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
銻化鎵(GaSb)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
單晶 | GaSb | 摻雜 | none；None, high R；Zn；Te；Te, high R | 導(dǎo)電類型 | P P- P+ N | 載流子濃度
cm-3 | 1-2x1017 1-5x1016 1-5x1018
2-6x1017 1-5x1016 | 位錯(cuò)密度
cm-2 | <103 | 生長(zhǎng)方法及
最大尺寸 | LEC ? 3" |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
標(biāo)準(zhǔn)尺寸：<100>, dia2"x0.5mm, 單拋， ?3"x 0.5mm. 表面粗糙度Ra：<15A 可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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