- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
碲化鎘(CdTe)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 碲化鎘(CdTe)晶體基片廣泛應(yīng)用于X射線檢測；紅外光學(xué)；外延基片；蒸發(fā)源的晶體片等相關(guān)領(lǐng)域。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu); | 立方 F43m a = 6.483? | 熔點(℃): | 1047 | 密度(g/cm3): | 5.851 | 熱容(J /g.k): | 0.210 | 熱膨脹系數(shù)(10-6/K)： | 5.0 | 熱導(dǎo)率( W /m.kat 300K )： | 6.3 | 透過波長 (μm)： | 0.85 ~ 29.9 | 折射率： | 2.72 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向：<001>、<100>、<110>、<111>； 常規(guī)尺寸：2.5x2.5x1.0mm、5x5x1.0mm、10x10x1.0mm 或者厚度0.5mm； 常規(guī)摻雜類型：P型不摻雜；常規(guī)電阻率：1x10^6次方；1x10^4次方； 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標(biāo)準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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