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MgO:LiNbO3晶片
- 產(chǎn)品概述：
- 純同成份鈮酸鋰晶體最大的缺點(diǎn)是抗激光損傷闕值很低，這限制了它的應(yīng)用領(lǐng)域。當(dāng)摻入5mol%MgO后，所生長(zhǎng)MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個(gè)數(shù)量級(jí)，極化反轉(zhuǎn)電壓從21KV/mm降至6KV/mm，紫外吸收邊紫移至310mm，OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應(yīng)用范圍。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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光學(xué)級(jí)摻鎂鈮酸鋰（MgO:LiNbO3)晶片
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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晶體結(jié)構(gòu)： | 三方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=5.147? c=13.856? | 密度： | 4.7g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1253℃ | 生長(zhǎng)方法： | 提拉法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格：
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常規(guī)晶向： | Z cut | 晶向公差： | ±0.5° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋、細(xì)磨 |
注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
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| 晶體缺陷：
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人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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