- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
InSb晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 在III-V族半導(dǎo)體中，InSb化合物具有最窄禁帶寬度、最高電子遷移率、最小有效質(zhì)量和最大g 因子，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及進(jìn)行自旋電子學(xué)研究與拓?fù)淞孔佑?jì)算等前沿物理探索的理想材料。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請(qǐng)與本公司銷(xiāo)售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說(shuō)明書(shū)（在線(xiàn)閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶(hù)，購(gòu)買(mǎi)前請(qǐng)與工作人員溝通，以免給您帶來(lái)不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱(chēng)
|
銻化銦(InSb)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | 6.06 ? | 硬度（Mohs）： | 3.8 | 密度： | 5.66g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 942℃ | 摻雜： | None;Te;Ge | 導(dǎo)電類(lèi)型： | N型 和 P型 | 載流子濃度： | 1-5x1014 1-2x1015 | 位錯(cuò)密度： | <2x102 cm-2 | 生長(zhǎng)方法： | FZ 或 LCE |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | （100）
| 公差： | ±0.5o | 常規(guī)尺寸： | dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 雙拋 | 表面粗糙度： | <15? | 注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。 |
|
| 晶體缺陷
|
人工金屬單晶存在常見(jiàn)晶體缺陷等。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝。 |
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請(qǐng)與本公司銷(xiāo)售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說(shuō)明書(shū)（在線(xiàn)閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶(hù)，購(gòu)買(mǎi)前請(qǐng)與工作人員溝通，以免給您帶來(lái)不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號(hào)
查看誠(chéng)信檔案
