| 產(chǎn)品信息(Co3O4/NiO核殼納米線陣列) | 四氧化三鈷/氧化鎳(Co3O4/NiO)核殼納米線陣列其支撐核為介孔四氧化三鈷納米線，外殼為氧化鎳納米片。 該核殼納米陣列經(jīng)水熱法和化學(xué)浴法結(jié)合制備而成，可以在多種導(dǎo)電和非導(dǎo)電基地（如碳布、泡沫鎳、鈦片、鎳片、不銹鋼片、泡沫石墨烯、玻璃等）上生長。 內(nèi)核的四氧化三鈷納米線平均直徑80-100nm，納米線由相互交聯(lián)的粒徑為4-5nm的納米顆粒構(gòu)成，且納米顆粒間的空隙約為3-5nm。 外殼氧化鎳納米片（直徑約10-20納米）交互纏繞生長在四氧化三鈷納米線核上構(gòu)成多孔異質(zhì)結(jié)構(gòu)的核殼納米陣列。 核殼納米線的直徑300-400nm, 陣列整體長度約為5微米。 樣品宏觀尺寸不超過寬度3.5厘米´長度4.5厘米。 該樣品的宏觀色澤呈黑色。 產(chǎn)品信息(CoO/NiO核殼納米線陣列)： 氧化亞鈷/氧化鎳(CoO/NiO)核殼納米線陣列和上述四氧化三鈷/氧化鎳核殼納米線陣列的制備方法和形貌尺寸均類似，唯一不用在于前期通過不同熱處理工藝生成氧化亞鈷納米線核心，然后再以此為基礎(chǔ)生長氧化鎳納米片交聯(lián)外殼。 代表性樣品的掃描電鏡和透射電鏡照片如下： FTO玻璃和泡沫鎳基底上：
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