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4H-SiC晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- SiC屬于第三代半導體基礎(chǔ)材料，禁帶寬度大于2eV。其中4H-SiC禁帶寬可以達到3.26eV，遷移率高：900cm2/V.s。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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4H-SiC晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=3.08? c=10.05? | | 熔點 | 2827℃ | 硬度(Mohs)： | ≈9.2 | 方向： | 生長軸或偏(0001) 3.5° | | 密度（g/cm3） | 3.16 | 帶隙： | 2.93eV (間接) | 導電類型： | N導電 | 電阻率: | 0.1-0.01 ohm-cm | 介電常數(shù)： | e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 | 導電率： | 5W / cm·K | 生長方式： | MOCVD(有機金屬化學氣相沉積） |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： |
| 常規(guī)尺寸： | 10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面： | 常規(guī)單拋為“Si” 面拋光，可按要求做“C”面拋光 | 拋光面粗糙度： | < 15A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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